GaN:Mn^3+中的激子巨塞曼效应
材料科学
2008-03-07 v2
摘要
我们描述了在(Ga,Mn)N（一种宽带隙III-V稀磁半导体）中激子巨塞曼分裂的直接观测。低温下测量的反射和吸收光谱显示了A和B激子，在磁场下由于s,p-d交换相互作用而发生位移。使用激子模型，我们确定了Mn^3+与GaN中自由载流子之间的交换积分差N_0(alpha-beta)=-1.2 +/- 0.2 eV。假设alpha的合理值，这意味着beta为正号，对应于磁性离子与空穴之间罕见的铁磁相互作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703041,
title = {Excitonic giant Zeeman effect in GaN:Mn^3+},
author = {W. Pacuski and D. Ferrand and J. Cibert and J. A. Gaj and A. Golnik and P. Kossacki and S. Marcet and E. Sarigiannidou and H. Mariette},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703041},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 4 figures