GaMnAs 中的反铁磁 s-d 交换耦合
材料科学
2016-08-31 v1
摘要
对 0.0006% < x < 0.03% 的 Ga(1-x)Mn(x)As/Al(0.4)Ga(0.6)As 量子阱中相干电子自旋动力学的测量表明，类 s 导带电子与局域在 Mn2+ 杂质 d 壳层中的电子之间存在反铁磁（负）交换作用。s-d 交换参数 的量级随阱宽变化，表明动力学交换提供了巨大且负的贡献。在无量子限制极限下， 外推至 -0.09 +/- 0.03 eV，表明反铁磁 s-d 交换是 GaMnAs 的体性质。偏振分辨光致发光的测量结果与交换增强塞曼劈裂的简单模型存在强烈差异，表明交换劈裂价带中存在额外的复杂性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502115,
title = {Antiferromagnetic s-d exchange coupling in GaMnAs},
author = {R. C. Myers and M. Poggio and N. P. Stern and A. C. Gossard and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502115},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 4 figures and one action figure