GaMnAs量子阱中s-d交换相互作用的约束工程
介观与纳米尺度物理
2007-10-23 v1 材料科学
摘要
近期对相干电子自旋动力学的测量揭示了GaMnAs量子阱中导带电子与局域在Mn{2+}杂质上的电子之间存在反铁磁s-d交换耦合。在此，我们利用时间分辨克尔旋转，讨论了具有不同约束势的GaMnAs/AlGaAs量子阱中s-d交换相互作用的系统测量。在扩展先前关于s-d交换N{0}alpha对阱宽依赖性的研究基础上，我们发现其大小还取决于阱深。这两种现象都归结为对约束能的普遍依赖，这可由导带中约束诱导动力学交换的能带混合模型来描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0604576,
title = {Confinement engineering of s-d exchange interactions in GaMnAs quantum wells},
author = {N. P. Stern and R. C. Myers and M. Poggio and A. C. Gossard and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604576},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 5 figures