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双量子阱中由隧穿屏障分离的电子间交换作用引起的Kerr效应

介观与纳米尺度物理 2025-12-11 v1

摘要

在两种隧穿耦合的不同宽度量子阱结构中,窄阱杂质的共振脉冲光泵激发包含宽阱电子磁化动力学。我们的分析表明,该效应由窄阱杂果与宽阱中自旋偏极电子之间的电子交换驱动。我们发展了一种考虑阱间电子自旋交换的自旋Kerr效应理论模型。在本研究中,采用CdTe和Cd0.98_{0.98}Mn0.02_{0.02}Te量子阱,屏障厚度为5个单层(1.6 nm)的双阱结构,模型准确描述了实验结果,并允许我们估算阱间电子交换常数为 δe0.9×1015 eV cm2{\delta}_{e} \approx 0.9\times10^{-15}~\textrm{eV}~\textrm{cm}^{2}

关键词

引用

@article{arxiv.2512.09541,
  title  = {Kerr effect induced by exchange interaction of electrons separated by a tunnel barrier in a double quantum well},
  author = {V. K. Kalevich and K. V. Kavokin and M. M. Afanasiev and B. F. Gribakin and M. I. Kuzmenko and G. Karczewski and Yu. G. Kusrayev},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2512.09541},
  year   = {2025}
}

备注

13 pages, 10 figures