突变势垒对非对称耦合双量子阱中电子自旋分裂的贡献
介观与纳米尺度物理
2013-10-30 v3
摘要
我们研究了基于InGaAs-InAlAs的双量子阱（窄带隙结构）中电子能量自旋分裂在面内磁场和横向电场下的行为。我们开发了一种改进的8×8版传输矩阵方法，该方法考虑了当存在通过中心势垒的隧穿时，突变界面和外场的贡献。我们纳入了朗德g因子对外加场的依赖关系。此外，我们还计算了电子态密度和光致发光激发谱。电子自旋分裂能的变化导致态密度出现显著特征。由于态密度与光致发光激发谱直接相关，这些特征可通过该技术观测到。
引用
@article{arxiv.1302.2012,
title = {Abrupt barrier contribution to the electron spin splitting in asymmetric coupled double quantum wells},
author = {A. Hernandez-Cabrera and P. Aceituno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.2012},
year = {2013}
}
备注
28 pages, 9 figures