具有Mn-δ掺杂GaAs势垒的InGaAs量子阱的电子与光学性质
介观与纳米尺度物理
2015-09-25 v1
摘要
我们在此展示势垒掺锰的InGaAs量子阱的电子结构与光学性质。我们在包络函数和有效质量近似下，利用自旋密度泛函理论计算了外磁场存在时的电子态与光发射。我们观察到低磁场（B < 5 T）下朗道能级的磁振荡主要由空穴自旋与Mn自旋之间的磁相互作用主导，而在高磁场下空穴气的自旋极化是主导效应。我们的结果还表明，栅电压会显著改变发射能量的磁振荡，并可能作为该系统磁性质的外部控制参数。最后，我们讨论了朗道能级振荡在发射光谱中的影响，并与已有的实验进行了比较。
引用
@article{arxiv.1509.07136,
title = {Electronic and optical properties of InGaAs quantum wells with Mn-delta-doping GaAs barriers},
author = {Udson C. Mendes and M. A. G. Balanta and Maria J. S. P. Brasil and José A. Brum},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.07136},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 5 figures