屈曲单层 GaAs 中的朗道量子化
计算物理
2019-02-22 v1 材料科学
摘要
使用发展的广义紧束缚模型，同时考虑屈曲结构、多轨道化学键、自旋轨道耦合、电场和磁场，研究了屈曲单层 GaAs 的磁电性质。磁量子化诱导了费米能级附近三组自旋极化的朗道能级（LLs），研究了其初始能量、LL 简并度、能级间距、磁场依赖性和自旋极化。分析了描述主导/次要轨道的振荡模式、局域化中心和节点规律的朗道态概率，并讨论了其能量依赖的变化。给出的态密度直接反映了 LL 能谱的主要特征，包括自旋极化 LL 峰的结构、高度、数量和频率。电场导致单调/非单调的 LL 能量色散、LL 交叉、能隙调制、相变和自旋分裂增强。基于磁场与电场竞争的复杂能隙调制和相变通过相图详细探讨。场控能隙调制和相变有助于设计顶栅和相变电子器件。这些预测的磁电性质可通过扫描隧道谱测量验证。
引用
@article{arxiv.1705.06016,
title = {Landau quantization in buckled monolayer GaAs},
author = {Hsien-Ching Chung and Chih-Wei Chiu and Chun-Nan Chen and Ming-Fa Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.06016},
year = {2019}
}