单层石墨烯中硅掺杂缺陷：磁量子化

我们利用广义紧束缚模型，探究了具有不同浓度与构型的硅掺杂石墨烯缺陷系统丰富而独特的磁量子化。该模型同时考虑了非均匀键长、格点能与跳跃积分，以及均匀垂直磁场（${B_z\hat z}$）。磁量子化朗道能级（LLs）根据概率分布与振荡模式被分为四类。LLs 的主要特征清晰地反映于磁光选择定则中，其涵盖主导的 ${\Delta\,n=|n^v-n^c|=0}$、共存的 ${\Delta\,n=0}$ $\&$ ${\Delta\,n=1}$，以及特定的 ${\Delta\,n=1}$。这些层间 LL 激发定则源于超胞中 A$_i$ 与 B$_i$ 子格的非等价或等价性。