GaAs/AlGaAs异质结二维电子系统中低场朗道量子化的实验研究
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1
摘要
通过将磁场垂直施加于GaAs/AlGaAs二维电子系统，我们在降低温度以减小热阻尼的情况下研究了低场朗道量子化。即使当磁振荡的振幅大到预期会偏离Shubnikov-de Haas (SdH)公式时，我们仍观察到遵循该公式的磁振荡。我们的实验结果表明，在无序引起的阻尼下，正磁阻对于SdH公式的推广具有重要意义。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610805,
title = {Experimental Studies of Low-field Landau Quantization in Two-dimensional Electron Systems in GaAs/AlGaAs Heterostructures},
author = {Jing-Han Chen and D. R. Hang and C. F. Huang and Tsai-Yu Huang and Jyun-Ying Lin and S. H. Lo and J. C. Hsiao and Ming-Gu Lin and M. Y. Simmons and D. A. Ritchie and C. -T. Liang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610805},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 3 figures