InGaAs/InAlAs 量子阱弱场磁电阻中的经典效应
介观与纳米尺度物理
2018-04-30 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们在弱垂直磁场中观察到 InGaAs/InAlAs 量子阱内高迁移率二维电子气的低温磁电阻的异常行为。所观测到的磁电阻在定性上类似于弱局域化与反局域化所预期的，但其量级显著超出量子修正的尺度。计算表明，所得数据可由准周期势起伏中电子沿开放轨道运动的经典效应解释，该势起伏表现为量子阱表面存在脊状结构。
引用
@article{arxiv.1801.06984,
title = {Classical effects in the weak-field magnetoresistance of InGaAs/InAlAs quantum wells},
author = {M. Yu. Melnikov and A. A. Shashkin and V. T. Dolgopolov and G. Biasiol and S. Roddaro and L. Sorba},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.06984},
year = {2018}
}