向 InGaAs/GaAs 量子阱的电学自旋注入：溅射与分子束外延方法生长的 MgO 隧穿势垒之比较
材料科学
2020-04-08 v1
摘要
借助 CoFeB/MgO 自旋注入器，展示了向 InGaAs/GaAs 量子阱发光二极管的高效电学自旋注入。织构化 MgO 隧穿势垒通过两种不同技术制备：溅射与分子束外延（MBE）。两种方法的最大自旋注入效率相当。此外，还针对两类样品研究了退火的影响。两类样品呈现相同趋势：电致发光圆偏振度（Pc）随退火温度升高而增加，并在 350{\deg}C 以上退火时 Pc 饱和。由于 Pc 的增加始于远低于完整 CoFeB 体层结晶温度之下，该趋势可能主要源于顶部 CoFeB/MgO 界面化学结构的改善。本研究揭示，CoFeB/MgO 界面的控制对于向半导体中实现最优自旋注入至关重要。
引用
@article{arxiv.2004.03292,
title = {Electrical spin injection into InGaAs/GaAs quantum wells: a comparison between MgO tunnel barriers grown by sputtering and molecular beam epitaxy methods},
author = {P. Barate and S. Liang and T. T. Zhang and J. Frougier and M. Vidal and P. Renucci and X. Devaux and B. Xu and H. Jaffrès and J. M. George and X. Marie and M. Hehn and S. Mangin and Y. Zheng and T. Amand and B. Tao and X. F. Han and Z. Wang and Y. Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.03292},
year = {2020}
}