利用超薄 CoFeB/MgO 注入器在零磁场下向 GaAs 实现大且稳健的电自旋注入
材料科学
2015-06-19 v1
摘要
我们展示了借助厚度仅为几个原子面（1.2 nm）的超薄垂直磁化 CoFeB 接触层，在零磁场下向 GaAs 实现大的电自旋注入。通过测量内嵌 InGaAs/GaAs 量子阱的自旋发光二极管的电致发光圆偏振度，检测了注入 GaAs 的电子自旋极化率。电致发光偏振度作为磁场的函数，紧密追踪 CoFeB/MgO 注入器的面外磁化强度。在 25 K 和零磁场下，实现了高达 20% 的发射光圆偏振度。此外，在室温下，电致发光圆偏振度仍约为 8%。
引用
@article{arxiv.1404.4527,
title = {Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector},
author = {S. Liang and T. T. Zhang and P. Barate and J. Frougier and M. Vidal and P. Renucci and B. Xu and H. Jaffrès and J. M. George and X. Devaux and M. Hehn and X. Marie and S. Mangin and H. Yang and A. Hallal and M. Chshiev and T. Amand and H. Liu and D. Liu and X. Han and Z. Wang and Y. Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.4527},
year = {2015}
}
备注
*Corresponding author: [email protected]