GaAs (111) 量子阱中自旋输运的电学调控
介观与纳米尺度物理
2019-03-13 v1 量子物理
摘要
我们通过空间和时间分辨的光致发光表明，在垂直于本征 GaAs (111) 量子阱(QW)平面的方向上施加电场，可使沿垂直于 QW 平面方向极化的光生电子自旋输运超过 10~m 的距离。我们将这种长自旋输运长度归因于通过电生成的 SO 场补偿了与内禀自旋轨道(SO)相互作用相关的面内有效磁场。在远离 SO 补偿时，自旋矢量绕 SO 场的进动会随着电子远离激光产生光斑而减小自旋系综的面外极化。该结果由弱 SO 相互作用下自旋极化载流子的二维漂移-扩散模型所重现。
引用
@article{arxiv.1903.05069,
title = {Electric control of spin transport in GaAs (111) quantum wells},
author = {A. Hernández-Mínguez and K. Biermann and R. Hey and P. V. Santos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.05069},
year = {2019}
}