GaAs(111)B 量子阱中自旋弛豫的电学抑制
介观与纳米尺度物理
2019-03-25 v1 材料科学
应用物理
量子物理
摘要
通过自旋—轨道相互作用(SOI)引起的自旋退相干是限制 III-V 闪锌矿量子阱中电子自旋寿命的主要机制。在 GaAs(111) 量子阱中,可通过施加电场抑制该退相干。此抑制归因于由 GaAs 晶格体反演不对称(BIA)相关的本征 SOI 被电场诱导的结构诱导不对称(SIA)SOI 项所补偿。我们通过光致发光测量在宽范围外加电场下展示从 BIA 主导到 SIA 主导机制的转变,为该机制提供了直接实验证据。在补偿电场附近获得了超过 100 ns 的自旋寿命,从而使 GaAs(111) 量子阱成为自旋电学存储与操控的优秀候选体系。
引用
@article{arxiv.1903.09596,
title = {Electrical suppression of spin relaxation in GaAs(111)B Quantum Wells},
author = {A. Hernández-Mínguez and K. Biermann and R. Hey and P. V. Santos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.09596},
year = {2019}
}