(110) 生长量子阱中的对称性与自旋退相干
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
本文利用磁场诱导光电流效应 (MPGE) 和时间分辨克尔旋转技术，研究了 (110) 生长 GaAs 量子阱 (QWs) 中的对称性与自旋退相干。我们表明，MPGE 提供了一种探测 (110) 生长量子阱对称性的工具。光电流仅在非对称结构中观测到，而在对称量子阱中消失。通过应用克尔旋转，我们证明了在后一种情况下自旋弛豫时间达到最大，因此这些结构设定了 GaAs 量子阱中自旋退相干的上限。我们还证明，通过改变δ掺杂层的位置，可以将结构反演不对称性可控地调节至零。
引用
@article{arxiv.0712.1704,
title = {Symmetry and spin dephasing in (110)-grown quantum wells},
author = {V. V. Bel'kov and P. Olbrich and S. A. Tarasenko and D. Schuh and W. Wegscheider and T. Korn and Ch. Schüller and D. Weiss and W. Prettl and S. D. Ganichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.1704},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures