p-GaAs/AlGaAs 多量子阱中单极自旋取向诱导的圆偏振光电流效应
仪器与探测器
2009-11-06 v1 材料科学
摘要
在 (100) 取向的 -GaAs/AlGaAs 量子阱中，于远红外辐射正入射时观测到了圆偏振光电流效应（CPGE）。结果表明，自由载流子的单极光自旋取向引起了在从左旋圆偏振辐射变为右旋圆偏振辐射时方向反转的电流。正入射的 CPGE 和线性光电流效应的出现表明所研究的多层异质结构具有降低的点对称性。如所提议，CPGE 可用于分别研究电子与空穴的自旋极化以及量子阱的对称性。
引用
@article{arxiv.physics/0008002,
title = {Circular photogalvanic effect induced by monopolar spin orientation in p-GaAs/AlGaAs MQW},
author = {S. D. Ganichev and E. L. Ivchenko and H. Ketterl and L. E. Vorobjev and W. Prettl},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0008002},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures