Scifaro

中文

GaAs-基异构结构中 Rashba 自旋分裂的演示

其他凝聚态物理 2009-11-11 v1

作者: W. Weber , S. D. Ganichev , Z. D. Kvon , V. V. Bel'kov , L. E. Golub , S. N. Danilov , D. Weiss , W. Prettl , Hyun-Ick Cho , Jung-Hee Lee

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

在(0001)取向的GaN量子阱(QW)结构中, 观察到由红外辐射诱导的圆形光电伏特效应(CPGE). 当反转辐射极性时, 光电流改变符号, 这表明在该类材料的k空间中导带存在自旋分裂. 该观察表明存在相当大小的Rashba型自旋分裂, 其由AlGaN/GaN界面处的内置不对称性所致.

关键词

Rashba 自旋分裂 GaN 异构结构光电伏特效应自旋分裂界面不对称性

引用

@article{arxiv.cond-mat/0509208,
  title  = {Demonstration of Rashba spin splitting in GaN-based heterostructures},
  author = {W. Weber and S. D. Ganichev and Z. D. Kvon and V. V. Bel'kov and L. E. Golub and S. N. Danilov and D. Weiss and W. Prettl and Hyun-Ick Cho and Jung-Hee Lee},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509208},
  year   = {2009}
}

备注

7 pages, 3 figures