锗量子阱中Rashba效应的光学调控
介观与纳米尺度物理
2022-07-25 v1 材料科学
摘要
通过偏振与时间分辨光致发光，研究了嵌入p-i-n二极管中的Ge/SiGe多量子阱的Rashba效应。除量子限制Stark效应引起的显著红移外，在2kW/cm的泵浦功率范围内提高泵浦功率可使直接跃迁的圆偏振度增强三倍。这一显著变化反映了自旋布居的有效调制，并得到了间接带隙跃迁专项研究的进一步支持。本研究展示了一种通过非接触光学激发来设计自旋轨道哈密顿量的可行策略，并为基于IV族异质结构的量子器件中自旋的电光调控开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2205.10134,
title = {Optical manipulation of the Rashba effect in germanium quantum wells},
author = {S. Rossi and E. Talamas Simola and M. Raimondo and M. Acciarri and J. Pedrini and A. Balocchi and X. Marie and G. Isella and F. Pezzoli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.10134},
year = {2022}
}