HgTe 量子阱中的光生伏特效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们报道了在 HgTe 量子阱中观测到太赫兹辐射诱导的圆光生伏特效应 (CPGE) 和线光生伏特效应 (LPGE)。电流响应很好地符合 CPGE 和 LPGE 的唯象理论描述。
引用
@article{arxiv.0708.2169,
title = {Photogalvanic effects in HgTe quantum wells},
author = {B. Wittmann and R. Ravash and H. Diehl and S. N. Danilov and Z. D. Kvon and S. A. Tarasenko and E. L. Ivchenko and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky and W. Prettl and S. D. Ganichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2169},
year = {2009}
}
备注
2 pages, 2 figures