二维范德瓦尔斯异质结构中的圆光电效应
材料科学
2021-02-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用自旋或谷自由度是实现更高能效信息处理的一种有前景的途径。在二维过渡金属硫族化合物中，可利用圆光电效应（CPGE，即由圆偏振光产生光电流）来生成自旋/谷电流。本文表明，在MoS2/WSe2异质结构-电极边界处的面内电场，在垂直入射的光学激发下会导致电可调的圆光电效应（CPGE）。所观察到的CPGE可由面内电场引起的价带偏移，以及空穴与电子间不同的有效弛豫时间并结合谷光学选择定则来解释。此外，我们表明可通过使用面外电场改变费米能级来控制CPGE。此类现象即使在室温下也持续存在。该发现可能有助于将二维异质结构用作光谷电子学与光自旋电子学器件平台。
引用
@article{arxiv.1910.13118,
title = {Circular photogalvanic effect in 2D van der Waals heterostructure},
author = {Abdullah Rasmita and Chongyun Jiang and Hui Ma and Zhurun Ji and Ritesh Agarwal and Wei-bo Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.13118},
year = {2021}
}
备注
31 pages (main text: 8 pages), 12 figures (main text figure: 4)