Weyl半金属中的量子化圆光电效应
强关联电子
2017-07-27 v2
摘要
圆光电效应（CPGE）是光电流中依赖于入射光圆偏振方向而切换的部分。它已在无反演对称性的系统中被持续观测到，并依赖于非普适的材料细节。在此我们发现，在一类无反演和镜面对称性的Weyl半金属（例如SrSi）和三维Rashba材料（例如掺杂Te）中，对CPGE迹的注入贡献有效地量子化，以基本常数和表示，且无材料依赖参数。这是因为CPGE直接测量Weyl点的拓扑电荷，且来自无序和附加能带的非量子化修正可在显著的入射频率范围内保持很小。此外，由Weyl节点诱导的CPGE量级相对较大，使得用当前技术直接探测单极电荷成为可能。
引用
@article{arxiv.1611.05887,
title = {Quantized circular photogalvanic effect in Weyl semimetals},
author = {Fernando de Juan and Adolfo G. Grushin and Takahiro Morimoto and Joel E. Moore},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.05887},
year = {2017}
}
备注
4+5 pages, 3 figures, published version