外尔半金属中的光电流效应
介观与纳米尺度物理
2017-08-16 v1
摘要
我们从理论上研究了杂质对具有弱倾斜外尔锥的外尔半金属中光电流效应 (PGE) 的影响。我们的计算基于具有反演对称性破缺偏移的双节点模型，并采用动力学方程方法，该方法可以同时考虑费米能级附近的光学跃迁和粒子 - 空穴激发。我们专注于单光活性节点的参数体系，并在小杂质浓度下控制计算。节点间散射被一般化处理，因此我们的结果允许在短程和长程杂质情况之间进行连续插值。我们发现，对于中等强度的节点间散射，圆偏振光电流效应的时间演化可能是非单调的。此外，我们表明倾斜矢量引入了三个额外的线性独立分量到稳态光电流中。其中，沿倾斜方向的光电流起着特殊作用，因为它需要弹性节点间散射或非弹性节点内散射才能弛豫，因此可能占主导地位。倾斜还会产生偏斜散射，导致一个垂直于入射光和倾斜方向的电流分量。我们广泛讨论了我们的发现，并评论了可能的实验意义。
引用
@article{arxiv.1705.03903,
title = {Photogalvanic effect in Weyl semimetals},
author = {E. J. König and H. -Y. Xie and D. A. Pesin and A. Levchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.03903},
year = {2017}
}
备注
6 pages + appendix, 4 figures