Weyl 半导体中的带内圆形光生电效应
介观与纳米尺度物理
2025-07-21 v1 量子物理
摘要
我们应用包括Berry 曲率偶极子、侧跳和偏斜散射的半经典理论，以量化描述 Weyl 半导体在带内吸收条件下的圆形光生电效应（CPGE）。与带隙系统不同，在带隙系统中，这些机制完全解释了 CPGE 当前的所有贡献，但我们发现，已知的所有半经典机制给出的结果与完全量子力学方法得到的结果不同。我们指出，这种现有的准经典和完全量子力学方法之间的差异在散乱势 potentials 的所有空间尺度上都持续存在。似乎需要在 Weyl 半导体的 CPGE 描述中实现另一种微观机制。
引用
@article{arxiv.2507.13796,
title = {Intraband circular photogalvanic effect in Weyl semimetals},
author = {L. E. Golub and E. L. Ivchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.13796},
year = {2025}
}
备注
5+5 pages, 2 figures