外尔半金属中光生伏打效应的第一性原理研究
强关联电子
2018-07-04 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
利用第一性原理计算，我们研究了外尔半金属材料 TaAs 中的光生伏打效应。我们发现由能带结构中外尔点引起的巨大光电流，其存在于很宽的激光频率范围内。我们的计算表明，对于线偏振光和圆偏振光的激发，光电流主要由从占据外尔带经远离外尔锥的中间带跃迁到空外尔带的三带跃迁贡献。因此，在第一性原理能带结构中通过考虑完整的布洛赫带集合（外尔带与平庸带）对所有三带跃迁求和十分重要，而仅考虑外尔锥内的两带直接跃迁是不够的。计算所得的光电导与近期实验测量吻合良好。我们的工作提供了关于外尔半金属非线性光学现象的首次第一性原理计算，并深化了对复杂材料中光生伏打效应的理解。
引用
@article{arxiv.1803.00562,
title = {Photogalvanic Effect in Weyl Semimetals from First Principles},
author = {Yang Zhang and Hiroaki Ishizuka and Jeroen van den Brink and Claudia Felser and Binghai Yan and Naoto Nagaosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.00562},
year = {2018}
}