HgTe/CdHgTe量子阱结构中的圆偏振光电效应
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
我们描述了在 HgTe/CdHgTe 量子阱中观察到的圆偏振和线偏振光电效应。结果表明，量子阱结构中中红外辐射的带间吸收以及太赫兹辐射的子带内吸收会因这些效应而产生直流电流。光电流的大小和方向随辐射偏振态和衬底晶向的变化方式简单，可由唯象理论理解。讨论了观察到的光电流对辐射波长和温度的依赖性。
引用
@article{arxiv.1002.2528,
title = {Circular photogalvanic effect in HgTe/CdHgTe quantum well structures},
author = {B. Wittmann and S. N. Danilov and V. V. Bel'kov and S. A. Tarasenko and E. G. Novik and H. Buhmann and C. Brüne and L. W. Molenkamp and Z. D. Kvon and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky and N. Q. Vinh and A. F. G. van der Meer and B. Murdin and S. D. Ganichev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.2528},
year = {2015}
}