{111} GaAs 量子阱中电子自旋动力学的生长方向依赖性
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v2
摘要
通过时间分辨克尔旋转，研究了生长在 (111)A 或 (111)B 取向衬底上的负掺杂-本征-正掺杂结构中的 GaAs/AlGaAs 量子阱的电子自旋动力学。在两种情况下，施加外电场均显著增加了自旋寿命，但对于生长在 (111)A 上的结构，该电场必须沿生长方向，而对于生长在 (111)B 上的结构则需相反。电子自旋寿命的延长是 D'yakonov-Perel 自旋弛豫机制 [Sov. Phys. Solid State 13, 3023 (1972)] 受到抑制的结果，这种抑制源于内部 Dresselhaus 项 [Phys. Rev. 100, 580 (1955)] 与外电场诱导的 Rashba 项 [J. Phys. C 17, 6039 (1984)] 之间的抵消效应，两者均主导导带自旋轨道劈裂。这些结果证明了生长方向在自旋电子器件设计中的关键作用。
引用
@article{arxiv.1204.0154,
title = {Growth Direction Dependence of the Electron Spin Dynamics in {111} GaAs Quantum Wells},
author = {H. Q. Ye and G. Wang and B. L. Liu and Z. W. Shi and W. X. Wang and C. Fontaine and A. Balocchi and T. Amand and D. Lagarde and P. Renucci and X. Marie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.0154},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 5 figures