室温下 GaAs 量子阱中自旋弛豫的载流子密度依赖性
材料科学
2008-10-02 v2 其他凝聚态物理
摘要
利用时间分辨圆偏振泵浦 - 探测光谱技术，研究了室温下本征 GaAs 量子阱中电子自旋弛豫的载流子密度依赖性。研究发现，在相对较低的密度区域（此时线性 D'yakonov-Perel' 自旋 - 轨道耦合项占主导），自旋弛豫时间随密度增加而延长；而当密度较大且立方 D'yakonov-Perel' 自旋 - 轨道耦合项变得重要时，自旋弛豫时间则趋于减小。这些特征与 L"u 等人 [Phys. Rev. B {\bf 73}, 125314 (2006)] 的理论预测非常吻合。基于数值求解包含 D'yakonov-Perel' 机制和 Bir-Aronov-Pikus 机制的动力学自旋 Bloch 方程的全微观计算，很好地重现了自旋弛豫的密度依赖性。
引用
@article{arxiv.0806.2577,
title = {Density dependence of spin relaxation in GaAs quantum well at room temperature},
author = {L. H. Teng and P. Zhang and T. S. Lai and M. W. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.2577},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 2 figures, Europhys. Lett., in press