n型GaAs量子阱中的自旋弛豫时间、自旋退相干时间和系综自旋退相干时间

C. Lü; J. L. Cheng; M. W. Wu; I. C. da Cunha Lima

doi:10.1016/j.physleta.2007.02.030

n型GaAs量子阱中的自旋弛豫时间、自旋退相干时间和系综自旋退相干时间

材料科学 2007-05-23 v2 其他凝聚态物理

作者: C. Lü , J. L. Cheng , M. W. Wu , I. C. da Cunha Lima

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摘要

我们研究了n型GaAs量子阱中的自旋弛豫和自旋退相干。通过求解完整的微观动力学自旋Bloch方程，我们获得了自旋弛豫时间 $T_1$ 、自旋退相干时间 $T_2$ 和系综自旋退相干时间 $T_2^{\ast}$ ，并表明，类似于各向同性系统中导带电子的常识，由于短关联时间， $T_1$ 、 $T_2$ 和 $T_2^{\ast}$ 是相同的。由D'yakonov-Perel项引起的非均匀展宽被散射，特别是库仑散射，在该系统中抑制。

关键词

自旋弛豫自旋退相干 GaAs量子阱动力学自旋Bloch方程 D'yakonov-Perel机制库仑散射

引用

@article{arxiv.cond-mat/0610501,
  title  = {Spin relaxation time, spin dephasing time and ensemble spin dephasing time in $n$-type GaAs quantum wells},
  author = {C. Lü and J. L. Cheng and M. W. Wu and I. C. da Cunha Lima},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610501},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages, 2 figures, to be published in Phys. Lett. A

n型GaAs量子阱中的自旋弛豫时间、自旋退相干时间和系综自旋退相干时间

摘要

关键词

引用

备注

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