GaAs (110)量子阱中由虚子带间自旋翻转自旋轨道耦合诱导的自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2009-10-07 v2
摘要
提出了一种基于二阶自旋翻转子带间自旋轨道耦合与自旋守恒散射相结合的自旋弛豫机制。通过费米黄金定则计算了相应的自旋弛豫时间。结果表明，该机制在高杂质密度的对称GaAs (110)量子阱中很重要。研究了自旋弛豫时间对电子密度、温度和阱宽的依赖关系，并分析了其背后的物理机制。
引用
@article{arxiv.0907.2092,
title = {A virtual intersubband spin-flip spin-orbit coupling induced spin relaxation in GaAs (110) quantum wells},
author = {Y. Zhou and M. W. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.2092},
year = {2009}
}
备注
4+ pages, 4 figures, to be published in Solid Stat. Commun