InAs 量子阱异质结构中的自旋弛豫机制
介观与纳米尺度物理
2021-12-08 v2
摘要
通过磁电导测量作为外加顶栅电压的函数，研究了浅 InAs 量子阱异质结构的自旋轨道相互作用与自旋弛豫机制。数据使用 Iordanskii--Lyanda-Geller--Pikus 模型进行拟合，识别出对应于量子阱第一和第二子带的两个不同输运 regime。自旋轨道相互作用分裂能从数据拟合中提取出来，其也表现出两个不同的 regime。不同的子带 regime 表现出不同的自旋散射机制，其识别对于利用自旋轨道相互作用的降维器件平台具有相关性。
引用
@article{arxiv.2111.15170,
title = {Spin-Relaxation Mechanisms in InAs Quantum Well Heterostructures},
author = {J. D. S. Witt and S. J. Pauka and G. C. Gardner and S. Gronin and T. Wang and C. Thomas and M. J. Manfra and D. J. Reilly and M. C. Cassidy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.15170},
year = {2021}
}
备注
clearance and rights issues