具有方形势阱的p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs结构中的Dresselhaus自旋轨道相互作用：表面声波研究
介观与纳米尺度物理
2021-10-15 v1
摘要
采用声学方法研究了高质量-AlGaAs/GaAs/AlGaAs方形势阱结构中的自旋轨道相互作用效应。该结构生长在GaAs (100)衬底上，在量子阱两侧对称掺杂碳。测量了二维空穴交流电导的Shubnikov-de Haas型振荡。在低磁场2 T下，电导振荡出现由自旋轨道相互作用引起的拍频。对拍频特征的分析使得分离由自旋轨道相互作用分裂的两个重空穴子带的电导贡献成为可能。对于每个子带，确定了有效质量和量子弛豫时间的值，进而获得了自旋轨道相互作用的能量。量子阱的轮廓以及自旋轨道相互作用的较小量级，使我们能够得出结论：自旋轨道分裂由Dresselhaus机制主导。
引用
@article{arxiv.2110.07302,
title = {Dresselhaus spin-orbit interaction in the p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs structure with a square quantum well: Surface Acoustic Waves Study},
author = {I. L. Drichko and I. Yu. Smirnov and A. V. Suslov and K. W. Baldwin and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.07302},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 7 figures