量子阱中自旋劈裂的有效单带方法
介观与纳米尺度物理
2017-03-07 v1
摘要
由 III-V 族半导体生长的量子阱中二维电子的自旋-轨道相互作用由两部分具有不同对称性的项组成：Bychkov-Rashba 项和 Dresselhaus 项。后一项通常归因于体态自旋-轨道哈密顿量，它反映了闪锌矿晶格的 Td 对称性。尽管已知量子阱界面也可能对 Dresselhaus 项有贡献，但界面贡献与体态贡献的确切结构及其相对重要性尚不清楚。为了比较体态贡献与界面贡献，我们对 [100] GaAs/AlGaAs 量子阱中电子能级的自旋劈裂进行了紧束缚计算，并在包含两项界面贡献的 Dresselhaus 项的单带有效质量电子哈密顿量框架内分析了所得的自旋劈裂。我们表明，自旋劈裂对量子阱宽度和沿生长方向电场的依赖关系可以通过解析单带计算完美重现，并且对于足够窄的量子阱，自旋-轨道相互作用的界面贡献与体态 Dresselhaus 哈密顿量的贡献量级相同。
引用
@article{arxiv.1607.07733,
title = {Effective one-band approach for the spin splittings in quantum wells},
author = {P. S. Alekseev and M. O. Nestoklon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07733},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 5 figures