一维电子系统中 Dresselhaus 自旋分裂哈密顿量的推导
介观与纳米尺度物理
2019-01-03 v1
摘要
无反演中心的材料（例如闪锌矿 ）的二维 (2D) 半导体结构具有零场导带自旋分裂（Dresselhaus 项），该项在波矢 中是线性且三次的，源于块体材料中 的三次分裂。在载流子浓度较低时，三次项通常可忽略。然而，若我们关注随后的维度量子化（在 2D 平面内）且该方向的特征宽度与 2D 结构宽度相当，则也必须考虑 项（即使在低浓度下），其在量子化后会产生与 线性项相当的贡献。我们提出了适用于任意曲线一维结构的 Dresselhaus 自旋分裂哈密顿量推导的通用步骤。并给出了在通常 [001] 生长的 2D 结构中定义的量子线 (QWr) 与量子环 (QR) 的简单示例。
引用
@article{arxiv.1901.00169,
title = {On derivation of Dresselhaus spin-splitting Hamiltonians in one-dimensional electron systems},
author = {I. A. Kokurin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.00169},
year = {2019}
}
备注
3 pages, 1 figure