窄量子阱中的有效 Dresselhaus 与 Rashba 自旋轨道相互作用

基于 A$_3$B$_5$ 化合物的量子阱中，人们认为 Rashba 与线性 Dresselhaus 相互作用对二维电子的自旋分裂起主要贡献。我们表明，界面自旋轨道相互作用显著重整了相应的 Rashba ($\alpha_{SIA}$) 与 Dresselhaus ($\alpha_{BIA}$) 参数的值。为此，我们在原子级锐利界面上原有边界条件补充下求解量子阱中的有效质量方程，并计算了对 $\alpha_{SIA}$ 与 $\alpha_{BIA}$ 的界面贡献。我们的结果解释了 GaAs/AlGaAs 量子阱中自旋轨道参数实验数据的显著分散。我们还证明了，即便在平均电场为零的量子阱中，界面的不等价性也会导致自旋分裂的各向异性。