InAs/GaSb 耦合量子阱中反相的实验特征
介观与纳米尺度物理
2016-12-21 v2
摘要
在施加平行和垂直于量子阱的零磁场和有限磁场下，对 InAs/GaSb 双量子阱进行了输运测量。我们研究了处于反相区（电子和空穴共存）的样品，并将其与处于非反相半导体区的另一样品进行了比较。在平行磁场下，电荷中性点处电阻峰的激活行为伴随强烈抑制，证实了反相样品中电子带和空穴带之间的拓扑杂化能隙。我们观察到了非常规的 Landau 能级谱，其能隙由垂直于量子阱的磁场调制。这是由 InAs 和 GaSb 量子阱共同提供的强自旋轨道相互作用引起的。
引用
@article{arxiv.1606.03627,
title = {Experimental Signatures of the Inverted Phase in InAs/GaSb Coupled Quantum Wells},
author = {Matija Karalic and Susanne Mueller and Christopher Mittag and Kiryl Pakrouski and QuanSheng Wu and Alexey A. Soluyanov and Matthias Troyer and Thomas Tschirky and Werner Wegscheider and Klaus Ensslin and Thomas Ihn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.03627},
year = {2016}
}