在GaSb衬底上生长的高迁移率背栅InAs/GaSb双量子阱
介观与纳米尺度物理
2015-01-27 v1
摘要
我们报道了一种在GaSb衬底上生长的背栅InAs/GaSb双量子阱器件。使用原生衬底可实现高质量材料，在面电荷密度为8×10^11 cm^-2时电子迁移率超过500,000 cm^2/Vs，在电荷中性点（CNP）附近接近100,000 cm^2/Vs。量子阱结构与衬底之间的晶格匹配消除了对厚缓冲层的需求，从而实现了大的背栅电容以及与量子阱中导电通道的有效耦合。因此，在跨越杂化能隙的电子和空穴区域均观察到了量子霍尔效应。
引用
@article{arxiv.1412.4817,
title = {High mobility back-gated InAs/GaSb double quantum well grown on GaSb substrate},
author = {Binh-Minh Nguyen and Wei Yi and Ramsey Noah and Jacob Thorp and Marko Sokolich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.4817},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 5 figures