GaSb/InAs 量子阱中电场诱导的边缘态振荡
介观与纳米尺度物理
2021-11-30 v1
摘要
反带隙 GaSb/InAs 量子阱很早就被预言会展现量子自旋霍尔绝缘体（QSHI）行为。这些系统中 QSHI 相的实验表征一直依赖于电荷中性附近量子化边缘输运的存在。然而，在\emph{平庸} regime 中显示边缘电导存在的实验数据表明，表征 QSHI 相需要额外的实验特征。此处我们展示电场诱导的能隙振荡可用作系统中存在螺旋边缘态的指示。通过研究由 能带理论导出的现实低能模型 GaSb/InAs 量子阱，我们表明当系统被电场驱动至拓扑相时，此类振荡必然出现在窄样品中。我们的结果可作为在 GaSb/InAs 系统中寻找拓扑保护螺旋边缘态存在的额外实验特征的指南。
引用
@article{arxiv.2108.01968,
title = {Electric field-induced edge state oscillations in GaSb/InAs quantum wells},
author = {Marcos H. L. de Medeiros and Raphael L. R. C. Teixeira and Guilherme M. Sipahi and Luis G. G. V. Dias da Silva},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.01968},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 9 figures