应变层 InAs/GaInSb 量子自旋霍尔绝缘体中的边缘态调控
介观与纳米尺度物理
2017-08-09 v3
摘要
我们报道了一类应变层 InAs/GaInSb 量子阱中的量子自旋霍尔绝缘体 (QSHI)，其体带隙相较于二元 InAs/GaSb QSHI 增强了高达五倍。值得注意的是，随着边缘速度的相应增加，零场和外加磁场下的边缘电导表现出受时间反演对称性 (TRS) 保护的特性，与 Z2 拓扑绝缘体一致。InAs/GaInSb 双层结构为 QSHI 的未来研究和应用提供了一个备受期待的平台。
引用
@article{arxiv.1608.06588,
title = {Tuning Edge States in Strained-Layer InAs/GaInSb Quantum Spin Hall Insulators},
author = {Lingjie Du and Tingxin Li and Wenkai Lou and Xingjun Wu and Xiaoxue Liu and Zhongdong Han and Chi Zhang and Gerard Sullivan and Amal Ikhlassi and Kai Chang and Rui-Rui Du},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.06588},
year = {2017}
}
备注
Phys. Rev. Lett. accepted version. 21 pages, 9 figures