单层 1T'-WTe2 中应变可调的半金属-拓扑绝缘体转变
材料科学
2020-09-25 v1
摘要
量子自旋霍尔绝缘体（QSHI）以其源于绝缘体态非平凡拓扑的导通边缘通道为表征。单层 1T'-WTe2 在输运测量中展现出这种量子化边缘电导，但由于其半金属性质，相干长度被限制在约 100 nm。为克服此限制，我们提出一种应变工程手段来调节电子结构，其中沿 a 轴的压缩应变或沿 b 轴的拉伸应变均可将 1T'-WTe2 驱动至全带隙绝缘相。分子束外延与原位扫描隧道显微镜/谱学的联合研究随后证实了这一相变。同时，拓扑边缘态在应变存在下被发现非常稳健。
引用
@article{arxiv.2009.11472,
title = {Strain Tunable Semimetal-Topological-Insulator Transition in Monolayer 1T'-WTe2},
author = {Chenxiao Zhao and Mengli Hu and Jin Qin and Bing Xia and Canhua Liu and Shiyong Wang and Dandan Guan and Yaoyi Li and Hao Zheng and Junwei Liu and Jinfeng Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.11472},
year = {2020}
}
备注
15 pages, 5 figure and 21 pages of supplementary material