单层WTe2中的边缘导电
介观与纳米尺度物理
2017-08-02 v2
摘要
二维拓扑绝缘体（2DTI）必然具有螺旋形一维边缘模式，其中自旋与动量锁定，产生量子自旋霍尔效应并在零磁场下禁止弹性背散射。迄今为止尚无单层材料被证明是2DTI，但最近外尔半金属WTe2被预测若体带隙打开，其单层形式会成为2DTI。在此，我们报道在低于约100 K的温度下，单层WTe2内部确实变为绝缘，而边缘仍然导电。边缘导电被面内磁场强烈抑制，且与栅压无关，除了由于零偏压反常降低线性响应电导而在冷却时增长的介观涨落。双层WTe2在低温下也变为绝缘但不显示边缘导电。这些观察许多与单层WTe2是2DTI一致。然而，对于接触间距低至150 nm的低温边缘电导，低于量子化值，
引用
@article{arxiv.1610.07924,
title = {Edge conduction in monolayer WTe2},
author = {Zaiyao Fei and Tauno Palomaki and Sanfeng Wu and Wenjin Zhao and Xinghan Cai and Bosong Sun and Paul Nguyen and Joseph Finney and Xiaodong Xu and David H. Cobden},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.07924},
year = {2017}
}
备注
10 pages of main text plus 8 pages of supplementary materials