极化诱导的InAs量子阱中的量子自旋霍尔绝缘体与拓扑器件
材料科学
2025-01-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在这项工作中，我们预测了在传统半导体（特别是InAs量子阱）中由内建极化场驱动出现量子自旋霍尔绝缘体（QSHI）。我们提出将QSHI InAs量子阱作为设计拓扑场效应器件的平台。更确切地说，我们首先提出了一种无需拓扑相变即可工作的新型拓扑逻辑器件。随后，由于边缘态的存在，我们设计了一种高性能拓扑晶体管。我们的方法为在器件设计中利用QSHI的独特特性提供了一个潜在框架，为未来的拓扑器件铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2501.02801,
title = {Polarization-induced Quantum Spin Hall Insulator and Topological Devices in InAs Quantum Wells},
author = {Chenhao Liang and Sheng Zhang and Haohao Sheng and Quansheng Wu and Hongming Weng and Zhong Fang and Zhijun Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.02801},
year = {2025}
}