表面邻近效应诱导的 AlSb/InAs/AlSb 量子阱零场自旋劈裂
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1 材料科学
摘要
InAs 量子阱异质结构在介观器件应用（如扫描探针和磁记录传感器）中备受关注，这些应用要求沟道靠近表面。本文报告了深度仅为 20 nm 的 AlSb/InAs/AlSb 霍尔条的磁输运测量。对观察到的 Shubnikov-de Haas 振荡的分析和建模表明，在零磁场下出现了超过 2.3 meV 的自旋劈裂能。我们得出结论，该自旋劈裂源于量子阱能带弯曲引起的 Rashba 效应。这是由电子从表面向量子阱的大量转移引起的，并且当量子阱位于近表面时变得显著。
引用
@article{arxiv.0912.2143,
title = {Zero field spin splitting in AlSb/InAs/AlSb quantum wells induced by surface proximity effects},
author = {Masaya Nishioka and Bruce A. Gurney and Ernesto E. Marinero and Francisco Mireles},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.2143},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 2 figures. (To be published in APL)