GaAs量子阱中的双极自旋扩散与D'yakonov-Perel'自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2009-03-31 v1 材料科学
摘要
我们报告了半导体中双极自旋扩散的理论与实验研究。在80 K下，使用圆偏振激光脉冲在GaAs多量子阱样品中激发自旋极化载流子。利用时空分辨泵浦-探测技术同时测量电子密度与自旋密度的扩散。观察到了自旋极化电子的两种扩散机制。初始阶段，自旋扩散速率与密度扩散速率相似，并由双极扩散系数控制。在随后的时间里，自旋扩散相对于密度扩散显著减慢，似乎受控于一个非常量（递减）的自旋扩散系数。我们认为，自旋密度的长时间行为可以通过非均匀自旋弛豫率来理解，该弛豫率随密度减小而增大。自旋弛豫率的行为与受载流子间库仑散射限制的D'yakonov-Perel'弛豫模型相一致。
引用
@article{arxiv.0903.4931,
title = {Ambipolar spin diffusion and D'yakonov-Perel' spin relaxation in GaAs quantum wells},
author = {Hui Zhao and Matt Mower and G. Vignale},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.4931},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 8 figures