完全 MBE 生长的 Co$_2$FeSi/MgO/GaAs 横向自旋阀中的自旋生成
介观与纳米尺度物理
2019-06-21 v1 材料科学
摘要
我们展示了通过分子束外延（MBE）生长的不同 MgO 中间层厚度的晶体 CoFeSi/MgO/GaAs 混合结构中成功自旋生成的首次测量。使用非局域自旋阀和非局域 Hanle 测量配置，我们确定了不同 MgO 层厚度的自旋寿命 ~ns 和自旋扩散长度 ~m，证明了 GaAs 传输通道的高品质。对于优化的 MgO 层厚度，自旋阀信号的偏置依赖性表明根据第一性原理计算验证了 CoFeSi 的半金属能隙（上边缘）。除此之外，高达 18 的自旋生成效率揭示了 CoFeSi/GaAs 界面处 MgO 中间层用于进一步器件应用的高潜力。
引用
@article{arxiv.1906.08661,
title = {Spin generation in completely MBE grown Co$_2$FeSi/MgO/GaAs lateral spin valves},
author = {Georg Hoffmann and Jens Herfort and Manfred Ramsteiner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.08661},
year = {2019}
}