利用 Heusler 化合物 Co_2FeSi 电极大幅增强 Ge 中纯自旋流的产生效率
材料科学
2015-06-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了基于 n-Ge 的横向自旋阀器件中的非局域自旋输运，该器件具有高度有序的 Co_2FeSi/n^+-Ge 肖特基隧道接触。在低温下观测到清晰的自旋阀信号和 Hanle 效应曲线，表明在 n-Ge 中实现了纯自旋流的产生、操控和探测。获得的约 0.12 的自旋产生效率比此前报道的具有 Fe/MgO 隧道势垒接触的器件高出两个数量级。考虑到自旋相关行为随温度的演化，我们推断，为了实现基于 Ge 的自旋电子器件，必须同时实现高自旋产生效率并提高输运通道的质量。
引用
@article{arxiv.1311.6601,
title = {Large enhancement in the generation efficiency of pure spin currents in Ge using Heusler-compound Co_2FeSi electrodes},
author = {K. Kasahara and Y. Fujita and S. Yamada and K. Sawano and M. Miyao and K. Hamaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.6601},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures