SiGe 合金中的纯自旋流输运

利用基于 Si$_{\rm 0.1}$Ge$_{\rm 0.9}$ 的横向自旋阀器件中的四端非局域磁电阻测量，我们研究了简并 SiGe 合金（$n \sim$ 5.0 $\times$ 10$^{18}$ cm$^{-3}$）中的纯自旋流输运。我们观察到了清晰的非局域自旋阀信号与 Hanle 效应曲线，表明纯自旋流的生成、操控与探测。在低温下，Si$_{\rm 0.1}$Ge$_{\rm 0.9}$ 层的自旋扩散长度与自旋寿命被可靠地估算分别约为 0.5 $\mu$m 与 0.2 ns。本研究展示了利用 SiGe 合金探索物理机制并发展自旋电子学应用的可能性。