利用非局域结构对硅中自旋输运性质的实验研究
材料科学
2011-06-27 v1
摘要
本文展示了在8 K下利用非局域结构对硅中自旋输运性质的系统研究。发现非局域方案中的自旋注入信号随偏置电流的演化成比例增加。利用Hanle型自旋进动信号进行的理论拟合表明，与其他自旋器件的情况相比，Si中输运自旋的自旋极化受偏置电流变化的影响要小得多，这导致了自旋信号独特的偏置依赖性。
引用
@article{arxiv.1103.0355,
title = {Experimental Investigation of Spin Transport Properties in Silicon by Using a Non-local Geometry},
author = {Masashi Shiraishi and Yoshiya Honda and Eiji Shikoh and Yoshishige Suzuki and Teruya Shinjo and Tomoyuki Sasaki and Tohru Oikawa and Kiyoshi Noguchi and Toshio Suzuki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.0355},
year = {2011}
}
备注
22 pages, 4 figures