高掺杂 n 型 Si 中的自旋漂移
材料科学
2015-06-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本快报给出了 8 K 下高掺杂 n 型硅 (Si) 中自旋漂移速度的定量估算。局域两端 Hanle 测量能够检测 Si 中自旋信号随外加电场变化的调制，并通过自旋漂移扩散方程和 Hanle 型自旋进动的解析解对该调制进行分析。分析表明，自旋漂移速度与电场呈线性正比关系。通过引入改进的非局域四端法，对自旋漂移效应对自旋信号的贡献进行了交叉验证。
引用
@article{arxiv.1401.3524,
title = {Spin Drift in Highly Doped n-type Si},
author = {Makoto Kameno and Yuichiro Ando and Teruya Shinjo and Hayato Koike and Tomoyuki Sasaki and Tohru Oikawa and Toshio Suzuki and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.3524},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 3 figures