铋掺杂硅中增强自旋霍尔效应的光学可视化
材料科学
2020-06-03 v1
摘要
在室温下，通过使用螺旋度依赖光电压（HDP）测量，实现了对铋掺杂硅中由增强自旋霍尔效应（SHE）引起的自旋积累的直接可视化。在向铋掺杂硅施加直流电流时，在硅通道边缘检测到清晰的螺旋度依赖光电压，表明由于 SHE 产生了垂直自旋积累。相比之下，磷掺杂硅的 HDP 信号微乎其微。与具有大自旋霍尔角的铂通道相比，在铋掺杂硅中获得了大两个数量级以上的 HDP 信号。
引用
@article{arxiv.2006.01443,
title = {Optical visualization of the enhanced spin Hall effect in bismuth doped silicon},
author = {Taiki Nishijima and Yakun Liu and Dushyant Kumar and Kyusup Lee and Fabien Rortais and Syuta Honda and Yuichiro Ando and Ei Shigematsu and Ryo Ohshima and Hyunsoo Yang and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.01443},
year = {2020}
}