高Bi掺杂Cu薄膜中的大自旋混合电导
材料科学
2019-02-05 v2
摘要
自旋霍尔效应提供了一种将电荷流转换为自旋流的有效工具，为在下一代自旋电子器件于非磁性材料中产生纯自旋流开辟了可能。就此而言，近期报道了溅射生长的掺0.5% Bi的Cu中具有巨自旋霍尔效应，且根据第一性原理计算，更大Bi掺杂量预期会有更大数值。本工作中，我们证明了可将Cu掺杂至多10%的Bi原子而无Bi表面偏析或团簇形成的迹象，这通过多种显微与谱学技术得以研究。此外，我们生长了YIG/BiCu结构，显示出比类似Pt/YIG结构更大的自旋混合电导。这些结果反映了这些新材料在自旋电子器件中的潜力。
引用
@article{arxiv.1806.01394,
title = {Large spin-mixing conductance in highly Bi-doped Cu thin films},
author = {Sandra Ruiz-Gómez and Aída Serrano and Rubén Guerrero and Manuel Muñoz and Irene Lucas and Michael Foerster and Lucia Aballe and José F. Marco and Mario Amado and Lauren McKenzie-Sell and Angelo di Bernardo and Jason W. A. Robinson and Miguel Angel González-Barrio and Arantzazu Mascaraque and Lucas Pérez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.01394},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 4 figures